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晶体管
TK7J90E,S1E参考图片

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TK7J90E,S1E

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
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库存:5,053(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥16.7466
167.466
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20 mm
长度
15.5 mm
系列
TK7J90E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,TK7J90E,S1E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 RECOMMENDED ALT 755-EMH61T2R
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:31776
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V
1:¥1.4577
10:¥1.1413
100:¥0.4068
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.20792
参考库存:106603
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:124660
晶体管
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥30.1936
10:¥25.6623
100:¥22.2836
250:¥21.131
500:¥18.984
参考库存:6137
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 47KOhms 250MHz
3,000:¥0.29945
9,000:¥0.25312
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
99,000:¥0.20001
参考库存:28117
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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