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晶体管
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FZ400R12KE3

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数量单价合计
1
¥867.1394
867.1394
5
¥851.229
4256.145
10
¥812.8881
8128.881
25
¥785.915
19647.875
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
650 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2250 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ400R12KE3HOSA1 SP000100737
商品其它信息
优势价格，FZ400R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSS84AKW,115
Nexperia
晶体管
MOSFET P-CH -50 V -150 mA
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:434020
HFA3096BZ96
Renesas / Intersil
晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
1:¥62.4664
10:¥56.4774
25:¥53.8671
100:¥46.7142
2,500:¥34.1147
参考库存:11507
2N2102
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Ampl/Switch
1:¥16.2155
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
参考库存:12264
NJW1302G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200W TO-3P PNP
1:¥27.0522
10:¥22.9729
100:¥19.8993
250:¥18.9049
参考库存:4881
IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:166148

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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