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晶体管
APT45GR65B参考图片

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APT45GR65B

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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库存:5,164(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥38.8833
388.833
25
¥38.194
954.85
100
¥35.4255
3542.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
118 A
Pd-功率耗散
543 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
118 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
118 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Ultra Fast NPT-IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT45GR65B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V -6.7A P-Channel
1:¥6.4523
10:¥5.3788
100:¥3.4691
1,000:¥2.7798
3,000:¥2.3391
参考库存:31197
晶体管
MOSFET 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
3,000:¥7.0625
6,000:查看
参考库存:19469
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥7.684
10:¥6.5879
100:¥5.0624
500:¥4.4748
1,000:¥3.5369
5,000:¥3.5369
参考库存:74901
晶体管
MOSFET Automotive MOSFET 1 100V, 26 mOhm, DPAK
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
3,000:¥5.989
6,000:查看
参考库存:14433
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥32.3519
10:¥27.4364
100:¥23.8204
250:¥22.5887
参考库存:4630
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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