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晶体管
BFP 640FESD H6327参考图片

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BFP 640FESD H6327

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库存:27,339(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5369
35.369
100
¥2.1583
215.83
1,000
¥1.6724
1672.4
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP640
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
发射极 - 基极电压 VEBO
4.8 V
集电极连续电流
50 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4-1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP640FESDH6327XTSA1 BFP64FESDH6327XT SP000890034
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 640FESD H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥22.1254
10:¥18.3625
100:¥15.142
250:¥14.5996
2,000:¥10.5316
4,000:查看
参考库存:13225
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥84.8291
10:¥77.1451
25:¥71.303
50:¥67.461
参考库存:47556
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥5.989
10:¥4.8025
100:¥3.6386
500:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,500:¥2.1809
参考库存:8127
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:8109
晶体管
MOSFET 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:51676
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    50万现货SKU

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