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晶体管
FDA16N50-F109参考图片

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FDA16N50-F109

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库存:5,758(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.6733
19.6733
10
¥16.6788
166.788
100
¥13.3679
1336.79
500
¥11.6842
5842.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
16.5 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
205 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FDA16N50_F109
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
FDA16N50_F109
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FDA16N50-F109的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥27.3573
10:¥22.6678
100:¥18.6676
250:¥18.0574
500:¥16.2155
参考库存:9121
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
1:¥4.1471
10:¥2.3165
100:¥1.243
500:¥0.99892
3,000:¥0.64523
6,000:查看
参考库存:70538
晶体管
IGBT 晶体管 600V, 40A FIELD STOP IGBT
1:¥42.4202
10:¥36.0357
100:¥31.1993
250:¥29.6625
参考库存:5880
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-723 -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
2,500:¥0.23052
8,000:¥0.20001
参考库存:43742
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
1:¥2.6894
10:¥1.7402
100:¥0.7458
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:6209
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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