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晶体管
IKZ50N65EH5XKSA1参考图片

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IKZ50N65EH5XKSA1

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库存:2,726(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.0195
51.0195
10
¥46.1831
461.831
25
¥44.0248
1100.62
100
¥38.194
3819.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
273 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKZ50N65EH5 SP001160038
单位重量
1.528 g
商品其它信息
优势价格,IKZ50N65EH5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET UniFET 250V
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2152
500:¥8.9948
参考库存:7652
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VCE(SAT) NPN SMT
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:33874
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR PNP SOT-23
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:105316
晶体管
MOSFET MOSFET NCh 2.6ohm VGS10V10uAVDS80V
1:¥29.041
10:¥23.3571
100:¥21.2892
250:¥19.21
参考库存:4643
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥28.1257
10:¥23.8995
100:¥20.7468
360:¥19.6733
720:¥17.6732
参考库存:7870
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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