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晶体管
RRH090P03TB1参考图片

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RRH090P03TB1

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 9A 8PIN
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数量单价合计
2,500
¥4.0906
10226.5
10,000
¥3.9437
39437
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
135 ns
典型接通延迟时间
20 ns
商品其它信息
优势价格，RRH090P03TB1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIRA52DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
3,000:¥4.6104
参考库存:32830
IRL40B212
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥16.2946
250:¥15.4471
参考库存:16457
SQJ401EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
1:¥15.7522
10:¥13.1419
100:¥10.1474
500:¥8.9157
1,000:¥7.3563
3,000:¥7.3563
参考库存:53349
RD3H200SNTL1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 45V 20A TO-252 (DPAK)
1:¥8.9948
10:¥7.6614
100:¥5.8873
500:¥5.198
2,500:¥5.198
参考库存:13666
FF600R12ME4CP_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,958.2674
5:¥1,911.169
10:¥1,863.6751
25:¥1,837.5495
参考库存:2958

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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