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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	40 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	FJV3110R
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	600
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	0.93 mm
长度	2.92 mm
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	1.3 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	FJV3110RMTF_NL
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RN2702TE85LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO	1:¥3.2996 10:¥1.8306 100:¥0.78422 1,000:¥0.60681 3,000:¥0.46104	参考库存:47347
IRFS3306TRLPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg	1:¥17.6732 10:¥15.0629 100:¥11.9893 500:¥10.5316 800:¥8.6784	参考库存:9422
APT45GR65B	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8	1:¥48.3301 10:¥38.8833 25:¥38.194 100:¥35.4255	参考库存:5164
CSD17322Q5A	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET	1:¥7.5258 10:¥6.4523 100:¥4.9381 500:¥4.3731 2,500:¥3.0623 10,000:查看	参考库存:7861
BFP 405F H6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥2.9945 10:¥2.5199 100:¥1.5368 1,000:¥1.1865 3,000:¥1.01474	参考库存:20193