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晶体管
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FF1200R12IE5

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数量单价合计
1
¥5,138.449
5138.449
5
¥5,056.298
25281.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
1200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
20 mW
封装 / 箱体
PrimePACK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF1200R12IE5BPSA1 SP000976764
单位重量
1.5 kg
商品其它信息
优势价格,FF1200R12IE5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
1:¥122.6389
10:¥112.7288
25:¥107.802
100:¥95.2025
500:¥82.2188
1,000:查看
参考库存:4225
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 300mW
1:¥0.99892
10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:720562
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥41.8778
10:¥37.4256
100:¥34.0356
250:¥30.736
参考库存:10219
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
8,000:¥1.04525
24,000:查看
参考库存:148961
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.571
500:¥6.6896
参考库存:16458
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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