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晶体管
BSD235NH6327XTSA1参考图片

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BSD235NH6327XTSA1

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库存:52,035(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
950 mA
Rds On-漏源导通电阻
266 mOhms, 266 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
320 pC, 320 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2 S, 2 S
下降时间
1.2 ns, 1.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns, 3.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.5 ns, 4.5 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns, 3.8 ns
零件号别名
BSD235N H6327 SP000917652
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,BSD235NH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥12,788.2552
参考库存:24137
晶体管
MOSFET 75V 170A 4.1 mOhm Automotive MOSFET
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.8203
800:¥16.5206
2,400:查看
参考库存:24142
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥1.5255
10,000:¥1.4238
25,000:¥1.3447
50,000:¥1.3108
参考库存:24147
晶体管
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
1:¥48.025
10:¥43.4146
25:¥41.4145
100:¥35.9566
参考库存:24152
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR PNP -45V -0.1A HALOGEN-FREE
1:¥1.8419
10:¥1.1639
100:¥0.52997
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.25312
参考库存:24157
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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