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晶体管
IRFR4105TRPBF参考图片

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IRFR4105TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
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库存:3,178(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5539
455.39
500
¥4.0228
2011.4
1,000
¥3.1753
3175.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
6.5 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
49 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
SP001567638
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFR4105TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5314
500:¥5.7743
1,000:¥4.5539
3,000:¥4.5539
参考库存:12524
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 4.3mOhms 100A
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
3,000:¥5.3223
6,000:查看
参考库存:18161
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
1:¥6.3732
10:¥5.1528
100:¥3.9098
500:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.3391
参考库存:81168
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.5314
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
5,000:¥2.6555
10,000:查看
参考库存:24715
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5996
500:¥12.7577
2,500:¥9.831
5,000:查看
参考库存:40897
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    50万现货SKU

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