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晶体管
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2N6338G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 100V 200W NPN
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1
¥86.8292
86.8292
10
¥79.8345
798.345
20
¥76.5349
1530.698
100
¥67.3932
6739.32
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMB-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
最大直流电集电极电流
25 A
增益带宽产品fT
40 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6338
高度
8.51 mm
长度
39.37 mm
封装
Tray
宽度
26.67 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
25 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
180 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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