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晶体管
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FF450R12KT4

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数量单价合计
1
¥1,217.4507
1217.4507
5
¥1,188.1724
5940.862
10
¥1,158.6681
11586.681
25
¥1,142.3848
28559.62
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
580 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2400 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R12KT4HOSA1 SP000370613
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格，FF450R12KT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IGW40T120
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A
1:¥47.1775
10:¥42.6462
25:¥40.6461
100:¥35.2673
参考库存:2904
2SC3837KT146N
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 50MA
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
参考库存:14796
STGP6NC60HD
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.4749
500:¥5.7291
参考库存:8828
PN2907BU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥1.921
10:¥1.2656
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
参考库存:54635
NSBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
8,000:¥0.66896
参考库存:27737

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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