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晶体管
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FF450R12KT4

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库存:3,390(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,217.4507
1217.4507
5
¥1,188.1724
5940.862
10
¥1,158.6681
11586.681
25
¥1,142.3848
28559.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
580 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2400 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R12KT4HOSA1 SP000370613
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FF450R12KT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench
1:¥14.0572
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
2,500:¥6.441
5,000:查看
参考库存:17703
晶体管
MOSFET 12V single P-channel MOSFET
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
3,000:¥1.7402
参考库存:29775
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0,3mW PNP Transistor
1:¥1.3108
10:¥1.1526
100:¥0.7684
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.2147
参考库存:65210
晶体管
MOSFET NX138BK/TO-236AB/REEL 11" Q3/T
10,000:¥0.20792
20,000:¥0.18419
50,000:¥0.1695
100,000:¥0.13786
参考库存:29782
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:19202
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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