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晶体管
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STGP6NC60HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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¥9.9101
9.9101
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.4749
647.49
500
¥5.7291
2864.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
56 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP6NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
7 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，STGP6NC60HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STF13N95K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
1:¥42.6462
10:¥36.273
100:¥31.4253
250:¥29.8094
参考库存:11768
JAN2N2919U
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥376.4369
250:¥355.385
参考库存:35925
RN2407(T5L,F,T)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
暂无价格
参考库存:35935
STFW69N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
1:¥106.5816
10:¥97.971
25:¥93.9708
100:¥82.7612
参考库存:8285
JANTX2N2221AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥124.4808
250:¥113.4972
500:¥106.1974
参考库存:35942

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