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晶体管
IKW25N120T2参考图片

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IKW25N120T2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
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库存:9,311(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.72
49.72
10
¥44.9514
449.514
25
¥42.8722
1071.805
100
¥37.1883
3718.83
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
349 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N12T2XK SP000244960
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW25N120T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
3,000:¥8.2942
6,000:查看
参考库存:29406
晶体管
MOSFET 12V 29A 5.4W 2.6mohm @ 4.5V
1:¥26.894
10:¥22.2836
100:¥18.2834
250:¥17.7523
500:¥15.9104
3,000:¥15.9104
参考库存:18188
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.5313
10:¥3.7742
100:¥2.3052
1,000:¥1.7854
2,500:¥1.5255
参考库存:15690
晶体管
MOSFET N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide
1:¥47.3357
10:¥40.2619
100:¥34.8831
250:¥33.1203
400:¥29.6625
参考库存:18612
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43MOHM
1:¥4.9946
10:¥4.2036
100:¥2.712
1,000:¥2.1696
2,500:¥1.8306
参考库存:15644
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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