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晶体管
BD13716STU参考图片

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BD13716STU

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库存:18,998(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4013
34.013
100
¥2.0792
207.92
1,000
¥1.6046
1604.6
2,500
¥1.3673
3418.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD137
直流电流增益 hFE 最大值
160
高度
1.5 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
零件号别名
BD13716STU_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,BD13716STU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOT-23 P-CH ENHANCE
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:879598
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
1:¥27.5833
10:¥24.6679
25:¥22.2045
50:¥21.5943
参考库存:3015
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.0932
25:¥53.4829
100:¥46.4091
参考库存:3137
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 11V 50MA SOT-363
1:¥3.2318
10:¥2.4182
100:¥1.3108
1,000:¥0.9831
3,000:¥0.85315
参考库存:4799
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
100:¥291.766
300:¥274.2397
参考库存:4956
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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