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晶体管
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IRGP4650DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 50A 268W 104nC
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数量单价合计
1
¥57.4718
57.4718
10
¥51.9461
519.461
25
¥49.4827
1237.0675
100
¥42.9513
4295.13
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AC-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
76 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001535760
单位重量
38 g
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD18509Q5B
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 40V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.2999
2,500:¥7.2207
5,000:查看
参考库存:114564
STW24N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
1:¥37.5725
10:¥31.9677
25:¥31.3462
100:¥27.6624
参考库存:6506
FDP047N08-F102
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PT3 75V
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:8643
IRG4RC10SDTRPBF
Infineon / IR
晶体管
IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
1:¥13.447
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
1,000:¥6.667
2,000:¥6.667
参考库存:32160
STL60N3LLH5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 17A STripFET V Power
1:¥7.9891
10:¥6.7574
100:¥5.198
500:¥4.5878
3,000:¥3.2092
9,000:查看
参考库存:4867

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    50万现货SKU

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