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晶体管
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IPP037N08N3GXKSA1

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数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
1,000
¥8.9157
8915.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
零件号别名
G IPP037N08N3 IPP37N8N3GXK SP000680776
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP037N08N3GXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SGP02N120
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
1:¥16.0573
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:9925
IRF1010ZPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
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1,000:¥5.7178
参考库存:3087
DDTC143XUA-7-F
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 预偏置 200MW 4.7K 10K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:23964
APT65GP60JDQ2
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥291.4496
5:¥278.3868
10:¥269.6293
25:¥247.809
参考库存:1221
NGTB25N120FL2WG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/25 FAST IGBT FSII T
1:¥38.8042
10:¥32.9621
100:¥28.589
250:¥27.12
500:¥24.3628
参考库存:2078

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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