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晶体管
APT75GP120JDQ3参考图片

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APT75GP120JDQ3

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥336.175
336.175
2
¥327.0333
654.0666
5
¥318.0385
1590.1925
10
¥308.8968
3088.968
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
在25 C的连续集电极电流
128 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
543 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT75GP120JDQ3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQPF47P06YDTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET -60V -30A P-Channel
1:¥24.8939
10:¥21.131
100:¥18.3625
250:¥17.3681
参考库存:4225
FDP80N06
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V N-Channel
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
参考库存:8732
IPD30N03S4L-14
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥5.6839
10:¥4.7573
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.0792
参考库存:17599
50A02CH-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 0.5A 50V
1:¥3.9211
10:¥2.486
100:¥1.06785
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.62263
参考库存:43216
NDP7060
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET TO-220 N-CH ENHANCE
1:¥27.12
10:¥23.052
100:¥19.9784
250:¥18.9049
500:¥16.9839
参考库存:8423

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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