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晶体管
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FDP80N06

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库存:8,732(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5996
14.5996
10
¥12.3735
123.735
100
¥9.9101
991.01
500
¥8.6784
4339.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
176 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP80N06
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
113 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
259 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
136 ns
典型接通延迟时间
32 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP80N06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.3733
500:¥7.3676
2,500:¥5.6839
5,000:查看
参考库存:14606
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IGBT 模块 MIPAQ SERVE 1200V 150A
1:¥3,343.3875
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1:¥5.9212
10:¥4.9607
100:¥3.2092
1,000:¥2.5538
5,000:¥2.1583
参考库存:2275
晶体管
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1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
1,000:¥6.8591
1,500:¥6.8591
参考库存:39662
晶体管
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1:¥31.0411
10:¥26.3516
100:¥22.826
250:¥21.6734
1,000:¥16.4415
2,000:查看
参考库存:5174
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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