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晶体管
UJ3C065030K3S参考图片

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UJ3C065030K3S

  • UnitedSiC
  • 新批次
  • MOSFET 650V/30mOhm SiC CASCODE G3
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数量单价合计
1
¥237.7407
237.7407
5
¥227.0622
1135.311
10
¥219.9884
2199.884
25
¥202.1683
5054.2075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
UnitedSiC
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
85 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
441 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
UJ3C
商标
UnitedSiC
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
44 ns
商品其它信息
优势价格,UJ3C065030K3S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
暂无价格
参考库存:38165
晶体管
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100:¥328.9543
250:¥300.6704
参考库存:38170
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥120.8648
200:¥110.1863
500:¥103.1238
参考库存:38175
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥130.7071
250:¥119.1811
500:¥111.4971
参考库存:38180
晶体管
MOSFET Power Mosfet
50:¥3,550.234
参考库存:38185
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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