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晶体管
IPB030N08N3 G参考图片

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IPB030N08N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
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库存:25,674(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.1312
25.1312
10
¥21.357
213.57
100
¥18.4416
1844.16
250
¥17.515
4378.75
1,000
¥13.2888
13288.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
79 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPB030N08N3GATMA1 IPB3N8N3GXT SP000444100
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB030N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR PNP 50V
1:¥2.2261
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:34127
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
10,000:¥1.2317
参考库存:34132
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor SOT363 T&R 3K
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:34137
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
1:¥2.2261
10:¥1.5142
100:¥0.63732
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.33787
参考库存:34142
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 10mA 360mW 3.27mW
309:¥23.052
500:¥20.6677
1,000:¥17.4472
2,500:¥16.5997
参考库存:34147
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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