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晶体管
VS-GP100TS60SFPBF参考图片

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VS-GP100TS60SFPBF

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Ic 100A Vce(On)1.16V Half Brdge Trench PT
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数量单价合计
1
¥625.3985
625.3985
5
¥613.1041
3065.5205
10
¥587.4418
5874.418
25
¥568.4578
14211.445
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
INT-A-PAK
安装风格
Chassis Mount
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
-
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
337 A
Pd-功率耗散
781 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
集电极最大连续电流 Ic
337 A
商标
Vishay Semiconductors
栅极—射极漏泄电流
+/- 500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
单位重量
200 g
商品其它信息
优势价格，VS-GP100TS60SFPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:4605
IPL65R070C7
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥56.8616
10:¥51.4037
25:¥49.0194
100:¥42.5671
3,000:¥31.0411
参考库存:19212
SI7463DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
3,000:¥10.5316
参考库存:34764
2N2369A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥48.025
10:¥38.5782
100:¥35.1882
250:¥31.7304
参考库存:4831
BCP5610H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.4578
10:¥2.8815
100:¥1.7628
1,000:¥1.356
2,000:¥1.1639
参考库存:102218

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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