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晶体管
HN1B01FU-GR,LF参考图片

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HN1B01FU-GR,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
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库存:22,433(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.7854
17.854
100
¥0.7458
74.58
1,000
¥0.50737
507.37
3,000
¥0.3842
1152.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
150 MHz, 120 MHz
最大工作温度
+ 125 C
系列
HN1B01
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,HN1B01FU-GR,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL DIG SMT PNP/NPN
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:8870
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥6.8365
10:¥5.7065
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
5,000:¥2.486
参考库存:105922
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,865.7543
5:¥1,820.882
10:¥1,775.6142
25:¥1,750.7203
参考库存:5034
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M5
1:¥40.2619
10:¥34.1938
100:¥29.6625
参考库存:5281
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 SIPMOS
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
参考库存:5743
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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