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晶体管
IRFIB41N15DPBF参考图片

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IRFIB41N15DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC
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库存:37,952(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.7524
19.7524
10
¥16.7466
167.466
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
1,000
¥9.6841
9684.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
41 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
63 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001572654
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFIB41N15DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥22.1254
10:¥18.3625
100:¥15.142
250:¥14.5996
2,000:¥10.5316
4,000:查看
参考库存:13225
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥84.8291
10:¥77.1451
25:¥71.303
50:¥67.461
参考库存:47556
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥5.989
10:¥4.8025
100:¥3.6386
500:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,500:¥2.1809
参考库存:8127
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:8109
晶体管
MOSFET 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:51676
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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