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晶体管
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FDMD8900

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库存：15,896(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.6787
14.6787
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
3,000
¥6.7687
20306.1
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-12
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
66 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Dual
商标名
PowerTrench Power Clip
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
5 mm
系列
FDMD8900
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
8.7 ns
单位重量
82.320 mg
商品其它信息
优势价格，FDMD8900的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC32716TA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -45V -800mA HFE/250
1:¥2.6103
10:¥1.7741
100:¥0.73789
1,000:¥0.50737
2,000:¥0.40002
参考库存:72514
FDS6675
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SO-8 P-CH -30V
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2207
1,000:¥5.7065
2,500:¥5.7065
参考库存:21031
NVMFS5C410NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
1,500:¥7.3676
4,500:查看
参考库存:1198
2N5237
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥219.6042
5:¥209.7732
10:¥203.1627
25:¥186.7212
参考库存:1615
APT100GT120JU3
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:1322

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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