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晶体管
SSM6N357R,LF参考图片

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SSM6N357R,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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库存：32,298(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.5707
157.07
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.00683
3020.49
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6F
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
650 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM6N357R
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
500 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
3000 ns
典型接通延迟时间
990 ns
单位重量
16 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6N357R,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB80P03P4-05
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.0626
1,000:¥7.5371
参考库存:9210
ZVN4206AV
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET Avalanche
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
参考库存:27837
NGD8205ANT4G
Littelfuse
晶体管
IGBT 晶体管 350V 20A IGBT N-CHANNEL
1:¥14.1363
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥8.0682
1,000:¥7.0512
2,500:¥7.0512
参考库存:16694
SI1012CR-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.4012
500:¥1.1413
3,000:¥0.76049
6,000:查看
参考库存:426211
ATP304-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PCH 4.5V DRIVE SERIES
1:¥24.973
10:¥21.2101
100:¥18.3625
250:¥17.4472
500:¥15.6731
3,000:¥15.6731
参考库存:19863

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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