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晶体管
SPW35N60CFD参考图片

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SPW35N60CFD

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 34.1A TO247-3 CoolMOS CFD
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库存:5,967(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥74.919
74.919
10
¥67.6983
676.983
25
¥64.5456
1613.64
100
¥56.0932
5609.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
34.1 A
Rds On-漏源导通电阻
118 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFD
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
SP000065487 SPW35N60CFDFKSA1 SPW35N6CFDXK
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SPW35N60CFD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.8476
10:¥1.9775
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:55870
晶体管
JFET Dual JFET N-Ch -50V 50mA 300mW 1.7mW
1:¥127.6335
10:¥107.35
100:¥98.7394
250:¥90.061
参考库存:5912
晶体管
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
4,800:¥5.5031
9,600:查看
参考库存:36324
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:36329
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:10384
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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