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晶体管
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IKW30N65ES5

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数量单价合计
1
¥28.3517
28.3517
10
¥24.0464
240.464
100
¥20.905
2090.5
250
¥19.8202
4955.05
500
¥17.7523
8876.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
62 A
Pd-功率耗散
188 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 S5
封装
Tube
高度
5.21 mm
长度
21.1 mm
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
宽度
16.13 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW30N65ES5XKSA1 SP001319678
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IKW30N65ES5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC923TUBTL
ROHM Semiconductor
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双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.7685
10:¥1.7741
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1,000:¥0.58421
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1,000:¥1.1865
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2SB1731TL
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10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:17787

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    50万现货SKU

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