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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	分立半导体模块
RoHS	是
产品	Power Semiconductor Modules
类型	SiC Power Module
Vf - 正向电压	1.7 V at 400 A
Vgs - 栅极-源极电压	- 4 V, 22 V
安装风格	Screw Mount
封装 / 箱体	Module
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BSMx
封装	Tray
配置	Chopper
技术	SiC
商标	ROHM Semiconductor
晶体管极性	N-Channel
典型延迟时间	55 ns
下降时间	45 ns
Id-连续漏极电流	358 A
Pd-功率耗散	1570 W
产品类型	Discrete Semiconductor Modules
上升时间	40 ns
工厂包装数量	4
子类别	Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间	180 ns
典型接通延迟时间	55 ns
Vds-漏源极击穿电压	1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压	2.7 V

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTC114YETL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 70MA SOT-416	1:¥2.7685 10:¥1.8645 100:¥0.78422 1,000:¥0.52997 3,000:¥0.41471	参考库存:29189
MMBT4403T-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -40V 150mW	1:¥2.147 10:¥1.4577 100:¥0.60681 1,000:¥0.41471 3,000:¥0.32318	参考库存:20041
IHW20N135R3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop	1:¥37.8776 10:¥32.1937 100:¥27.8884 250:¥26.4307	参考库存:2688
APT100GN120B2G	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single	1:¥203.7051 5:¥194.5634 10:¥188.484 25:¥173.1951	参考库存:2760
DTA014EMT2L	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors	1:¥1.5368 10:¥1.03734 100:¥0.43844 1,000:¥0.29945 8,000:¥0.20001 24,000:查看	参考库存:13097