MUN5233DW1T1G详细信息_MUN5233DW1T1G相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	187 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN5233DW1
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80 at 5 mA at 10 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	7.500 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
EMC4DXV5T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 50V Dual Common Base Collector NPN & PNP	1:¥3.3787 10:¥2.3504 100:¥1.08367 1,000:¥0.82942 4,000:¥0.70738	参考库存:44223
HN1A01FU-Y,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz	1:¥2.2261 10:¥1.4238 100:¥0.5989 1,000:¥0.4068 3,000:¥0.30736	参考库存:32075
RN1606(TE85L,F)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A	1:¥4.2262 10:¥2.3278 100:¥0.99892 1,000:¥0.7684 3,000:¥0.58421	参考库存:34227
STW33N60M2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2	1:¥31.5044 10:¥26.7358 100:¥23.2102 250:¥21.9785	参考库存:5509
IPI029N06N	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3	1:¥13.9894 10:¥11.8311 100:¥9.4468 500:¥8.2942	参考库存:6556