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晶体管
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MX2N4093UB

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100
¥760.942
76094.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
JFET
RoHS
否
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18-3
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 40 V
Vgs=0时的漏-源电流
8 mA
Id-连续漏极电流
- 0.1 nA
Rds On-漏源导通电阻
80 Ohms
Pd-功率耗散
0.36 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 175 C
类型
JFET
商标
Microchip / Microsemi
最大漏极/栅极电压
40 V
工厂包装数量
1
商品其它信息
优势价格，MX2N4093UB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQP7N80C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.4524
参考库存:6020
DMN61D8LVT-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
10,000:¥1.1865
参考库存:46976
DMT3011LDT-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
3,000:¥2.7685
参考库存:17527
STL92N10F7AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
3,000:¥7.3111
参考库存:22479
SPW11N80C3
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
500:¥13.9894
参考库存:9951

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    50万现货SKU

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