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晶体管
SGB07N120参考图片

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SGB07N120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A
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数量单价合计
1
¥26.3516
26.3516
10
¥22.4418
224.418
100
¥19.436
1943.6
250
¥18.4416
4610.4
1,000
¥13.9103
13910.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGB07N120
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
16.5 A
高度
4.4 mm
长度
10.25 mm
宽度
9.9 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SGB07N120ATMA1 SP000012559
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,SGB07N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SF2 800V 850MOHM E TO220F
1:¥12.5995
10:¥10.6785
100:¥8.5315
500:¥7.5032
参考库存:8940
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7065
参考库存:8742
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥8.3733
10:¥8.2264
25:¥6.9608
100:¥6.328
2,000:¥4.3166
4,000:查看
参考库存:13439
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3
1:¥45.7198
10:¥38.8833
100:¥33.6514
250:¥31.9677
参考库存:35726
晶体管
MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P
1:¥7.7631
10:¥6.6218
100:¥5.085
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
参考库存:15098
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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