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晶体管
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CGHV40100F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
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¥2,507.4474
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
2.7 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
4.19 mm
长度
20.45 mm
工作频率
500 MHz to 2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
- 10 V to + 2 V
类
-
开发套件
CGHV40100-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SQD40131EL_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥9.5259
10:¥7.8422
100:¥6.0116
500:¥5.1754
2,000:¥3.8081
4,000:查看
参考库存:40215
FDMT800152DC
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET FET 150V 9.0 MOHMS PQFN88
1:¥45.7198
10:¥41.3354
25:¥39.4144
100:¥34.1938
3,000:¥25.0521
参考库存:19357
CSD19535KTTT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 100V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥25.7414
10:¥23.2102
50:¥23.2102
100:¥18.984
250:¥17.7523
参考库存:12184
BCP56TF
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Discretes AEC-Q101
1:¥3.0736
10:¥1.9549
100:¥0.83733
1,000:¥0.64523
参考库存:60896
DTC143ZUBHZGTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-323FL 4.7kO Input Resist
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:48213

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