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晶体管
STGW28IH125DF参考图片

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STGW28IH125DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
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库存:10,951(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.3464
35.3464
10
¥30.0467
300.467
100
¥26.0465
2604.65
250
¥24.747
6186.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.25 kV
集电极—射极饱和电压
2.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW28IH125DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW28IH125DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.9891
500:¥7.0512
2,500:¥5.4353
5,000:查看
参考库存:16340
晶体管
MOSFET SF2 800V 220MOHM E TO220F
1:¥27.3573
10:¥23.2102
100:¥20.1366
250:¥19.1309
参考库存:8707
晶体管
MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
1:¥12.9046
10:¥11.4469
100:¥9.0626
500:¥7.2659
3,000:¥5.2658
6,000:查看
参考库存:24119
晶体管
MOSFET 40V, 120A, 2.7 mOhm 56 nC Qg, Logic Lvl
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.4526
500:¥10.9158
参考库存:15831
晶体管
MOSFET MV7 N Channel Power Trench MosFET
1:¥8.1473
10:¥6.9156
100:¥5.3788
500:¥4.7686
3,000:¥3.2996
9,000:查看
参考库存:18848
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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