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晶体管
BSC080N03MS G参考图片

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BSC080N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3M
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库存:49,268(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.3166
43.166
100
¥2.7911
279.11
1,000
¥2.2374
2237.4
5,000
¥2.2374
11187
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
BSC080N03MSGATMA1 BSC8N3MSGXT SP000311514
单位重量
180 mg
商品其它信息
优势价格,BSC080N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP LOW VCE(SAT)
1:¥4.9155
10:¥4.0341
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:18155
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
1:¥135.7808
10:¥123.4073
25:¥114.1074
50:¥107.9602
参考库存:2297
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darl Amp
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥3.8081
1,000:¥2.825
参考库存:6494
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 100V
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
参考库存:8151
晶体管
MOSFET NCH 4A 60V 4V DRIVE MCPH6
1:¥3.5369
10:¥2.8702
100:¥1.7515
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1639
参考库存:5283
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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