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晶体管
CDM22012-800LRFP参考图片

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CDM22012-800LRFP

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 800V N-Ch LR FET 12A 30Vgs 12A 7.6nC
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数量单价合计
400
¥19.3682
7747.28
800
¥15.6731
12538.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
370 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
52.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UltraMOS
封装
Bulk
系列
CDM
商标
Central Semiconductor
下降时间
42.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
44.8 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
171.2 ns
典型接通延迟时间
21.1 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，CDM22012-800LRFP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPA65R380C6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
1:¥15.6731
10:¥13.2888
100:¥10.5994
500:¥9.2999
1,000:¥7.684
参考库存:2446
DDA123JH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 2.2K 47K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:47243
SPA11N80C3XKSA2
Infineon Technologies
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MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:2440
SH8K5TB1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch+Nch 30V 3.5A MOSFET
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:26817
BF820,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:46382

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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