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晶体管
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DGTD65T60S2PT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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1
¥36.8832
36.8832
10
¥31.3462
313.462
100
¥27.1991
2719.91
250
¥25.8205
6455.125
500
¥23.1311
11565.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，DGTD65T60S2PT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3019
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥137.5436
10:¥124.9441
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50:¥109.3388
参考库存:5313
TK42E12N1,S1X
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MOSFET N-Ch 88A 140W FET 120V 3100pF 52nC
1:¥11.2209
10:¥8.9948
100:查看
参考库存:4965
IPB60R160C6
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晶体管
MOSFET N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
1,000:¥13.6052
2,000:查看
参考库存:9952
BSR18A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
暂无价格
参考库存:48181
AUIRF1010ZSTRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
800:¥9.7632
参考库存:5914

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