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晶体管

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VS-GB300TH120N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
500 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.645 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB300TH120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥15.142
250:¥14.3736
500:¥12.8368
参考库存:4582
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
500:¥19.1309
参考库存:14144
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6613
500:¥5.0059
参考库存:11041
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7MOHM
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.8591
2,500:¥5.2997
5,000:查看
参考库存:14948
晶体管
MOSFET 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W
1:¥7.458
10:¥5.989
100:¥4.5539
500:¥3.7629
1,000:¥3.0171
3,000:¥2.7233
参考库存:24975
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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