TSM5055DCR RLG详细信息_TSM5055DCR RLG相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	38 A, 107 A
Rds On-漏源导通电阻	8.8 mOhms, 2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	9.3 nC, 49 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	30 W, 69 W
配置	Dual
通道模式	Enhancement
封装	Reel
晶体管类型	Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	27 S, 47 S
下降时间	14 ns, 49 ns
湿度敏感性	Yes
产品类型	MOSFET
上升时间	65 ns, 79 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	8.2 ns, 34 ns
典型接通延迟时间	4.8 ns, 11 ns

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MRF8S18210WHSR3	NXP / Freescale	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W	250:¥774.6263	参考库存:30679
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