FZ1200R33KF2C详细信息_FZ1200R33KF2C相关参数PDF

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：31,826(价格仅供参考)

数量	单价	合计
1	¥14,643.783	14643.783
5	¥14,409.647	72048.235

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	IGBT 模块
RoHS	否
配置	Triple Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO	3300 V
集电极—射极饱和电压	3.4 V
在25 C的连续集电极电流	2000 A
栅极—射极漏泄电流	400 nA
Pd-功率耗散	14.5 kW
封装 / 箱体	IS5a ( 62 mm )-9
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Tray
高度	38 mm
长度	190 mm
宽度	140 mm
商标	Infineon Technologies
安装风格	Chassis Mount
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs
零件号别名	FZ1200R33KF2CNOSA1 SP000100603

商品其它信息

优势价格，FZ1200R33KF2C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RN2904FE,LF(CT	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor	1:¥2.2261 10:¥1.4238 100:¥0.5989 1,000:¥0.4068 4,000:¥0.30736	参考库存:34014
APT30GS60BRDLG	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi	1:¥66.8508 10:¥60.1612 25:¥54.7824 50:¥51.0195	参考库存:34019
DMN3018SFG-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF	3,000:¥0.99101 9,000:¥0.92208	参考库存:93574
MRFX1K80N-230MHZ	NXP Semiconductors	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-230MHZ	1:¥7,538.23 5:¥7,457.2429 10:¥7,377.1033	参考库存:34026
NTMFS4C03NT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO	1:¥6.6105 10:¥5.5935 100:¥4.3053 500:¥3.8081 5,000:¥2.6555 10,000:查看	参考库存:34031