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晶体管

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APT30GP60JDQ1

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
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库存：30,617(价格仅供参考)
数量单价合计
19
¥194.1792
3689.4048
25
¥178.427
4460.675
50
¥173.0482
8652.41
100
¥164.8218
16482.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
67 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
245 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，APT30GP60JDQ1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VN0550N3-G P014
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.7631
25:¥6.4523
100:¥5.9212
250:¥5.4805
2,000:¥5.4805
参考库存:25959
DCX68-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W 20Vceo
2,500:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:25964
MMRF1022HSR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1022HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,646.297
5:¥1,609.572
10:¥1,576.5986
25:¥1,553.3206
参考库存:25969
DCX100NS-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150mW R1+/-R2 R3=R4 Dual Complementary
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
9,000:¥0.89157
参考库存:16404
RN2422TE85LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
1:¥3.7629
10:¥2.1809
100:¥1.02943
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.66105
参考库存:25976

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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