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晶体管
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BSM30GP60

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库存:30,670(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥775.0896
775.0896
5
¥760.8742
3804.371
10
¥726.6013
7266.013
25
¥702.3967
17559.9175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
180 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM30GP60BOSA1 SP000100378
商品其它信息
优势价格,BSM30GP60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO
1:¥6.4523
10:¥5.4466
100:¥4.181
500:¥3.6951
2,500:¥2.5877
10,000:查看
参考库存:45147
晶体管
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
3,000:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:9924
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Curr SW
1:¥20.5886
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
参考库存:8381
晶体管
MOSFET 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V
1:¥17.515
10:¥14.5205
100:¥11.30
500:¥9.831
1,000:¥8.2264
2,500:¥8.2264
参考库存:25198
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥32.1146
10:¥25.7414
100:¥23.4362
500:¥18.984
1,000:¥15.9782
参考库存:6435
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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