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晶体管
APTGLQ25H120T1G参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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APTGLQ25H120T1G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块
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库存:30,561(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥367.0692
36706.92
250
¥359.3852
89846.3
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
165 W
封装 / 箱体
SP1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格,APTGLQ25H120T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
1:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
1,000:¥3.9324
参考库存:35899
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
1:¥25.2781
10:¥20.905
100:¥17.2099
250:¥16.6788
参考库存:3731
晶体管
MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms
1:¥19.5942
10:¥16.6788
100:¥13.2888
500:¥11.6842
4,800:¥8.6106
9,600:查看
参考库存:25108
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,590.7462
5:¥1,557.1626
10:¥1,523.579
25:¥1,485.0912
50:¥1,446.5921
参考库存:1930
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥13.9894
500:¥12.2153
1,000:¥10.1474
参考库存:25987
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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