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晶体管
DMTH4008LPSQ-13参考图片

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DMTH4008LPSQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
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数量单价合计
1
¥6.1472
6.1472
10
¥5.0511
50.511
100
¥3.2544
325.44
1,000
¥2.6103
2610.3
2,500
¥2.6103
6525.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
64.8 A
Rds On-漏源导通电阻
8.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
55.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH4008
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.7 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
优势价格,DMTH4008LPSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 9A 1.9W 690pF
1:¥5.763
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
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100:¥10.4525
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1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:49476
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MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.2999
500:¥8.1473
1,000:¥6.78
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双极晶体管 - 预偏置 150MW 100K100K
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:48675
  • 海量现货

    50万现货SKU

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