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FT150R12KE3G_B4

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1627.3921
5
¥1,588.2828
7941.414
10
¥1,548.7893
15487.893
25
¥1,527.1159
38177.8975
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Triple
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FT150R12KE3GB4BDLA1 SP001505398
商品其它信息
优势价格，FT150R12KE3G_B4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09H310-04GSR6
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS
150:¥1,030.3453
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双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
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Panasonic
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
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Diodes Incorporated
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2,500:¥1.00683
参考库存:34892

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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