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晶体管
AUIRG4PH50S参考图片

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AUIRG4PH50S

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE AUTO IGBT
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库存:13,250(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.8779
43.8779
10
¥37.2674
372.674
100
¥32.2728
3227.28
250
¥30.6569
7664.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
57 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001512028
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,AUIRG4PH50S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
1,000:¥6.893
2,500:¥6.893
参考库存:864963
晶体管
MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm SuperMESH3 3 Ohm RDS
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.78
250:¥6.0794
2,500:¥3.842
5,000:查看
参考库存:29229
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80Vcbo 80 Vceo 200mA 500mW Trans
4,000:¥1.8871
10,000:¥1.808
24,000:¥1.7402
50,000:¥1.7176
参考库存:29234
晶体管
MOSFET 650V 7A Single N-Chan Pwr MOSFET
4,000:¥5.0624
6,000:¥4.8138
10,000:¥4.7008
参考库存:29239
晶体管
MOSFET 800V 8A N Channel Mosfet
4,000:¥10.0683
5,000:¥9.6841
参考库存:29244
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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