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晶体管
BSM15GD120DN2参考图片

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BSM15GD120DN2

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库存:25,057(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥499.686
499.686
5
¥488.5442
2442.721
10
¥469.4133
4694.133
25
¥454.2826
11357.065
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
145 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM15GD120DN2BOSA1 SP000100369
商品其它信息
优势价格,BSM15GD120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3
1:¥18.9049
10:¥16.0573
100:¥12.8368
500:¥11.2209
参考库存:3168
晶体管
MOSFET DepletionMode MOSFET
1:¥3.9211
10:¥3.8985
25:¥3.2431
100:¥3.0058
2,000:¥3.0058
参考库存:10920
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 2.3A
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
4,000:¥2.5425
参考库存:21587
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
1:¥2.9154
10:¥1.8532
100:¥0.79891
1,000:¥0.61472
3,000:¥0.46895
参考库存:20034
晶体管
MOSFET 35A 55V N-Channel UltraFET
1:¥8.0682
10:¥6.9043
100:¥5.2997
500:¥4.6895
1,000:¥3.7064
参考库存:14511
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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