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晶体管
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BST61,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
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库存：10,146(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥2.0001
2000.1
2,000
¥1.695
3390
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
1 A
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
1000
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
宽度
2.6 mm
商标
Nexperia
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
BST61 T/R
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格，BST61,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD17318Q2T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5369
100:¥2.1696
250:¥2.1696
1,000:¥1.6724
参考库存:8604
IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥32.4988
10:¥27.5833
100:¥23.9786
250:¥22.7469
500:¥20.3626
参考库存:3926
STFU9N65M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:7148
SIA928DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥2.147
500:¥1.7628
3,000:¥1.243
6,000:查看
参考库存:21205
2PS12017E44G35911
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥51,270.9476
参考库存:2247

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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