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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	68
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	330 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	- 0.1 V
商标	Diodes Incorporated
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	5 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BSB165N15NZ3 G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3	1:¥24.5888 10:¥20.905 100:¥18.1365 250:¥17.2099 5,000:¥11.9102	参考库存:25597
FCPF190N60-F152	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V, 20.2A, 199mOhm SuperFET II MOSFET	1:¥20.2835 10:¥17.2099 100:¥13.7521 500:¥12.0684	参考库存:8164
IGP40N65H5	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT	1:¥22.3627 10:¥19.0518 100:¥16.5206 250:¥15.6731	参考库存:8191
BUK9M19-60EX	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET BUK9M19-60E/MLFPAK/REEL 7" Q1/	1:¥4.6104 10:¥3.7855 100:¥2.4408 1,000:¥1.9549 1,500:¥1.6498	参考库存:3283
IRFR5505TRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC	1:¥6.9947 10:¥6.0003 100:¥4.6104 500:¥4.068 1,000:¥3.2205 2,000:¥3.2205	参考库存:107945